Am Joer 2020, d'Kommerzialiséierung vu Galliumnitrid(D'GaN-Schnellladetechnologie ass offiziell an d'Schnellspur agaangen, besonnesch mam Opkomme vun der Héichleistungs-Schnellladung vun digitale Produkter an der Arrivée vun der 5G-Ära ass d'Entwécklung vun der Galliumnitridtechnologie am Beräich vun de Konsumentenstroumversuergungen wéi e Fësch am Waasser, an d'Maartkapazitéit klëmmt séier.
D'Explosioun vum Galliumnitrid-Schnelllademaart huet net nëmmen Ännerungen um Maart fir Stroumgeräter mat sech bruecht, mä och d'Entwécklung vun der GaNFET-Kontrolltechnologie gefördert. Am Moment sinn eng Rei vu mächtege Chipfirmen am In- an Ausland opgetrueden a Galliumnitrid-Controller lancéiert.
Galliumnitrid (GaN) ass e Hallefleedermaterial vun der nächster Generatioun. Seng Betribsgeschwindegkeet ass 20 Mol méi séier wéi déi al traditionell Silizium (Si) Technologie, an et kann dräimol méi héich Leeschtung erreechen wann et a modernste Schnellladeprodukter benotzt gëtt. Et kann eng Leeschtung erreechen, déi wäit iwwer déi existent Produkter erausgeet, an am Fall vun der selwechter Gréisst gëtt d'Ausgangsleistung ëm den dräifache erhéicht.
Héich Leeschtung, kleng Gréisst a gutt Leeschtung sinn zum Haaptentwécklungstrend vu Konsumentenenergieprodukter ginn. Mat dem Optrëtt vu ville Produzente vu Galliumnitrid-Energiegeräter an den Upgrades vun der Produkttechnologie falen d'Käschte fir d'Entwécklung vu Galliumnitrid-Schnellladegeräter graduell. Et gëtt virausgesot, datt d'Käschte vu GaN-Energiegeräter no 2021 graduell méi niddreg si wéi déi vun existente Silizium-Energiegeräter. Et kéint déi bescht Wiel fir eng nei Generatioun vu käschtegënschtege Schnellladequellprodukter ginn.
Ënnert dësem Trend hu mir och eng Serie vu Schnellladeprodukter lancéiert fir der wuessender Nofro vun de Clienten gerecht ze ginn. Mir hunn vill nei Modeller an nei Stiler vu Galliumnitrid.(GaN）Schnellladegerät zu engem kompetitive Präis. Wëllkomm fir ze konsultéieren a Bestellungen ze maachen.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 22. Januar 2021